半导体生产工艺分析：
在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。

客户提出要求：
1.用途：提高光刻胶与硅片的黏附性。
2.参数要求：使用温度130度，真空达到负压即可，内胆尺寸：400宽*400深*300高，外形尺寸（没有要求），附带两块隔架，

通过以上参数给出的解决方案如下：
电源电压：AC 220V±10%/50Hz±2%
输入功率：3000W
控温范围：室温+10℃-250℃
温度分辨率：0.1℃
温度波动度：±0.5℃
达到真空度：133Pa
容积：90L
工作室尺寸（mm）：450*450*450
外形尺寸（mm）：615*615*900
载物托架：2块
时间单位：分钟

HMDS真空烘箱的原理：
HMDS预处理系统通过对真空烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。

HMDS真空烘箱一般工作流程：
先确定工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。

尾气排放等：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。

以上为详细方案及操作流程。

部分客户名单例举：